Remote PEALD법으로 증착한 확산방지막 및 산화막 특성에 관한 연구 = Character of ZrN diffusion barrier and HfO2 gate diekectric deposited by Remote PEALD method
저자
발행사항
부산: 부산대학교, 2006
학위논문사항
학위논문(석사)-- 부산대학교 대학원 : 재료공학과 2006년 2월
발행연도
2006
작성언어
한국어
주제어
DDC
666 판사항(21)
발행국(도시)
부산
형태사항
iii, 93장: 삽도; 26cm.
일반주기명
참고문헌 : 장86-89
DOI식별코드
소장기관
The barrier characteristics of ZrN films deposited by remote PEARD using TDEAZ and N2 plasma have been investigated. under various deposition conditions such as temperatures, plasma power and processing pressures. The optimized processing temperature, plasma power and pressure were 300℃, 200 Watt and 1 torr, respectively. ZrN films deposited by remote PEALD using TDEAZ and N2 plasma showed the carbon and oxygen contets of 6 and 5 at. %, respectively. The resistivity of ZrN was about 400. The barrier characteristics of Cu/ZrN/Si samples have been investigated using XRD, AES etch'pit test after annealing in vacuum for 1 hr range from 500~700℃ with the temperature interval of 50℃, XRD analysis revealed that ZrN films remained amorphous structure up to 550℃ and crystallized after annealing above 600℃. This indicated that the barrier characteristics of remote PEALD ZrN films remained up to 550℃. AES and etch-pit test also confirmed the barrier failure temperature of 600℃ and well agreed with the XRD data.
Hafnium oxide (HfO2) films deposited by remote PEALD method using Hf[N(CH3)C2H5]4 were also investigated as a potential replacement for SiO2 gate dielectric. HfO2 films deposited with oxygen plasma showed lower inpurities contents than those of films showed amorphous structure. However, HfO2 annealed at 800℃ showed radomly oriented polycrystalline structure.
The interfacial later of HfO2 films deposited with oxygen plasma showed silicate characteristic. HfO2 films showed almost negligible hystereses with posite flat band shift. Post annealing process significantly changed the characteristic of HfO2 films. HfO2 films deposited remote PEALD method using TEMAH and O2 plasma showed generally improved film qualities.
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