Ar/CF₄/O₂ 플라즈마 환경에서 알루미늄 산화막의 부식현상에 관한 연구 = Experimental Observation of the Surface Corrosion of Anodic Aluminum Oxide using Ar/CF₄/O₂ Plasma

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

After we exposed aluminium oxidation coating in a plasma condition varying ratio of mixture gas of Ar, CF4, and O2, we examined changes of oxidation coating materials on a ratio of mixture gas by measuring physical, chemical, electrical properties. It has been seen that more reduction of wall thickness, mass, breakdown voltage when it exposed to plasma condition containing the O2 gas compared to plasma environment comprised of Ar and CF4 gas. This is because plasma condition containing O2 gas suppressed composition of fluorinated compound. Also, from the XPS results, fluorinated peak reduced for addition of O2 gas in plasma condition.

국문 초록 (Abstract)

양극산화법을 이용한 알루미늄 산화막 코팅을 Ar, CF4, O2 등의 혼합가스 조성비를 변화시키면서 플라즈마 환경에 노출시킨 후, 가스 조성비에 따른 산화막 코팅 시료들의 변화를 물리적,
화학적, 전기적 특성 측정을 통하여 알아보았다. 산화막 코팅 부품이 Ar과 CF4가스로 구성된 플라즈마에 노출된 것에 비하여 O2 가스가 첨가된 플라즈마에 노출되었을 때가 막의 두께, 질량, 내전압 등이 감소하는 것을 알 수 있었다. 이러한 현상은 O2 가스가 첨가된 플라즈마에서는 산화막 표면에 불소계 화합물의 형성을 억제하기 때문이다. 또한 XPS측정 결과 플라즈마 환경에 O2 가스가 첨가됨에 따라 불소계의 peak이 감소하는 것을 알 수 있었다.