고농도 질소함유 반도체 폐수의 생물학적 탈질 = Biological Denitrification of Semiconductor Wastewater Containing High Strength Nitrogen
저자
박영호 ( Youngho Park ) ; 조성완 ( Sungwan Cho ) ; 이관용 ( Kwanyong Lee ) ; 박기영 ( Ki-young Park ) 연구자관계분석
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학술지명
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발행연도
2019
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-주제어
자료형태
학술저널
수록면
97-97(1쪽)
제공처
반도체 제조공정에서 사용되는 용수는 초순수임에도 제조공정 중에서 다양한 유해화학물질이 사용되고, 여러 공정을 거치면서 F-, N, P 등의 고농도 오염물질이 발생되기 때문에 폐수를 방류하기 전에 반드시 안전하게 처리해야 한다. 폐수 내 오염물질을 생물학적 방법을 통해 효율적으로 처리하기 위해 탈질조와 질산화조를 이용하는 생물학적 고도처리 공법을 이용한다. 반도체 폐수에는 탄소원이 충분하지 않기 때문에 탈질조에서 고농도 질소를 제거하기 위해 부족한 유기탄소원의 보충을 위해 메탄올이 사용되었지만, 이는 인화성, 폭발성 등의 단점이 있어 사용이 제한됨에 따라 새로운 외부탄소원의 개발이 필요가 요구되고 있는 실정이다. 본 연구에서는 서울시 A물재생센터 A2O공법의 슬러지와 B전자 반도체 공정 반송슬러지와 폐수를 사용하였다. 연속식 실험전 회분식 실험을 통해 17개의 탄소원 중 질소 제거 효율이 높은 탄소원 2가지와 대조군으로 메탄올을 선정해 연속식 실험을 진행하였다. 회분식 실험에서는 Jar tester를 이용해 진행하였으며, 50 rpm으로 교반해주었다. COD/NO<sub>3</sub>-N ratio를 3으로 맞춰주고, 30분 간격으로 샘플링을 하여 NO<sub>3</sub>-N과 COD를 HACH DR 2500 (HACH, USA)를 이용해 분석해주었다. 연속식 실험에서는 주문제작한 2 L 반응조를 사용했으며, HRT를 6 hr 으로 설정하였다. COD/NO<sub>3</sub>-N ratio 4를 기준으로 외부탄소원을 투입하였다. 10일 동안 실험을 진행하였으며, 하루 3번샘플링을 하여 위와 마찬가지로 NO<sub>3</sub>-N과 COD를 HACH DR 2500 (HACH, USA)를 이용해 분석해주었다. 실험이 종료 된 이후로 회분식 실험에 사용된 A물재생센터 A<sub>2</sub>O공법의 슬러지와 B전자 반도체공정 반송슬러지의 미생물 분석을 실시하였다. 분석결과 두 슬러지의 탈질 미생물의 군집 차이가 있음을 확인하였다. 회분식 실험결과 질소 제거 효율이 높은 탄소원 2개를 선정해 연속식 실험을 돌린 결과 대조군인 메탄올과 유사한 질소 제거 효율을 나타내는 것으로 확인 되었다. 이는 메탄올을 대체할 탄소원으로 사용될 수 있음으로 판단된다.
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