NO_x 가스 센서의 개발 (Ⅲ) = Development of NO_x Gas Sensors (Ⅲ)
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1995
작성언어
Korean
KDC
500.000
자료형태
학술저널
수록면
254-263(10쪽)
제공처
소장기관
제 1, 2차년도에서 얻은 결과에서 NO_2 가스에 대한 가장 유망한 감지물질로는 PbPc 유기물 반도체였다. 이를 토대로 제 3차년도에서는 저농도(0.1 ppm)의 NO_2 가스에 대해서도 안정된 응답을 나타내는 반도체식 가스센서를 구현하기 위해서 특히 유독가스인 NO_2 가스에 대한 응답특성개선을 위해 진공증착하여 형성된 막을 열처리하였다. Lead-프탈로시아닌을 사용한 감지막은 5×10 exp (-6) Torr의 초기진공도에서 진공증착법으로 형성하였다. 후속 열처리 조건은 300z℃에서 공기중, 1 시간이였다.
열처리한 PbPc 막의 표면구조가 NO_2 가스 감지특성과의 연관성을 규명하기 위해 SEM 사진분석을 하였다. 기판온도 70℃에서 승화한 PbPc 막(S-70C film)이 0.1 ppm의 NO_2에서 52%의 가장 높은 감도를 나타냈으며, 1 ppm의 NO_2에서 24 초의 응답시간을 보였다. 300℃에서 공기중, 1시간 후속 열처리한 S-150C 막(S-150/300C film)의 경우, 감도는 약간 감소했지만 응답속도는 약 7 초로 크게 개선되었다.
The most promising sensing material for NO_2 gas was PbPc organic semiconductor from the results of the 1st and 2nd years. On the basis of the result the substrate heated PbPc films were post-annealed to materialize semiconductor gas sensor which of stable response properties representing for the lower NO_2 gas concentration at the 3rd year. PbPc sensing thin film was prepared at vacuum sublimatiom at the base pressure of 5 × 10 exp (-6)Torr. Thickness of the sublimed PbPc thin film was about 6000 Å. The post-heattreatmemt was practiced at 300 ℃ for 1 hour in air.
It was clarified from the present study that the surface morphology of the heat-treated PbPc films characterized by means of scanning electron microscope (SEM) were closely correlated with NO_2 gas sensing properties. The sublimed PbPc film at substrate temperature of 70(S-70C film) showed the highest sensitivity of 52% at 0.1 ppm NO_2 and the response time was about 24 seconds at 1 ppm NO_2, respectively operating temperature of 190℃. In the case of an S-150C film post-annealed at 300℃: for 1 hour in air(S-150/300C film), the response rate increased up to about 7 seconds while the sensitivity decreased a little.
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)