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SCI
SCIE
SCOPUS
Effect of Hydrogen Peroxide on the Stability of Undoped p-Type ZnO Prepared by Magnetron Sputtering
저자
윤의중 (호서대학교) ; Hyoung G. Nam (Sunmoon Univ.) ; Hyeong-Sik Park (Hoseo Univ.) ; 이규항 (선문대학교) ; Kyung-Hwan Cha (Sunmoon Univ.) ; 조남인 (선문대학교)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2008
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
606-611(6쪽)
KCI 피인용횟수
11
제공처
In this study, we demonstrate that ZnO deposited onto SiO2 substrates by magnetron sputtering produces p-type ZnO at higher O2 pressure and n-type ZnO at lower O2 pressure. We also report the effect of hydrogen peroxide (H2O2) on the stability of undoped ZnO thin lms. The lms were immersed in 30 % H2O2 for 1 min at 30℃ and annealed in O2 at 450℃. The surface morphologies and structures of the samples were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X- ray diffaction (XRD), respectively. The optical properties were evaluated by PL measurements at room temperature. The carrier concentration, mobility, and conductivity were measured by using a Hall effect measurement system. The Hall measurement results for the ZnO flms untreated with H2O2 but annealed in O2 indicate that oxygen fractions greater than ~0.5 produce undoped p-type ZnO flms whereas oxygen fractions less than 0.5 produce undoped n-type ZnO flms. This is attributed to the fact that the oxygen vacancies (Vo) decrease and the oxygen interstitials (Oi) or zinc vacancies (VZn) increase with increasing oxygen atoms incorporated into ZnO flms during deposition and O2 post-annealing. From the XRD and the resistivity measurements, the changes induced by O2 annealing were observed to be quenched by H2O2. p-type ZnO flms deposited at an oxygen fraction of 0.67 showed a dominant UV peak at 3.194 eV related to a neutral acceptor bound exciton and Oi or VZn whereas n-type ZnO flms deposited at an oxygen fraction of 0.2 showed a dominant UV peak at 3.261 eV related to a neutral donor bound exciton and zinc interstitials (Zni) defects. We concluded from the experimental results that the active oxygen species decomposed from H2O2 can combine with Zni and fll Vo defects; thus, H2O2 improves the stability of undoped p-type ZnO thin lms by reducing Zni and Vo defects and/or passivating grain boundaries.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
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2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | SCI 등재 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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