KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Growth of hexagonal-shape Si on a 4H–SiC substrate by mixed-source hydride vapor phase epitaxy
저자
Park Seonwoo (Korea Maritime and Ocean University) ; Mun Suhyun (Korea Maritime and Ocean University) ; Kim Kyoung Hwa (Korea Maritime and Ocean University) ; Yang Min (Korea Maritime and Ocean University) ; Chun Young Tea (Korea Maritime and Ocean University) ; Yi Sam Nyung (Korea Maritime and Ocean University) ; Ahn Hyung Soo (Korea Maritime and Ocean University) ; Lee Jae Hak (Korea Maritime and Ocean University) ; Jang Yeon-Suk (Dong-Eui University) ; Lee Won Jae (Dong-Eui University) ; Shin Myeong-Cheol (Kwangwoon University) ; Koo Sang-Mo (Kwangwoon University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2024
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
198-207(10쪽)
DOI식별코드
제공처
The combination of Si and 4H–SiC has potential applications in heterojunction diodes, bipolar-junction transistors, and optoelectronic devices. However, growing crystalline Si on 4H–SiC is challenging owing to a lattice mismatch of approximately 20% between Si and 4H–SiC. In this study, we discuss the growth of a Si epilayer by an Al-based nanostructure cluster grown on a 4H–SiC substrate using mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The results of the Raman spectra of the Al-based nanostructure cluster and hexagonal-shape Si and high-resolution X-ray difraction patterns of the Si epilayer show that the hexagonal-shape Si epilayer exhibit a hexagonal 2H–Si structure belonging to the P63/mmc (D4 6h) space group.
The mixed-source HVPE method enables the growth of crystalline Si on a 4H–SiC substrate despite the signifcant lattice mismatch between the 4H–SiC substrate and Si structures. Therefore, the potential application of the novel Si/SiC structure can be achieved using a mixed-source HVPE growth method.
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)