KCI등재
SCIE
SCOPUS
Advances in atomic layer deposited high-κ inorganic materials for gate dielectrics engineering of two-dimensional MoS2 field effect transistors
저자
Zhang Ling (Hunan University) ; Xing Houying (Hunan University) ; Yang Meiqing (College of Life and Environmental Science, Hunan University of Arts and Science, Changde) ; Dong Qizhi (Hunan University) ; Li Huimin (Hunan University) ; Liu Song (Hunan University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2022
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
1247-1264(18쪽)
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Molybdenum disulfide (MoS2) has been one of the most promising members of transition-metal dichalcogenides materials. Attributed to the excellent electrical performance and special physical properties, MoS2 has been broadly applied in semiconductor devices, such as field effect transistors (FETs). At present, the exploration of further improving the performance of MoS2-based FETs (such as increasing the carrier mobility and scaling) has encountered a bottleneck, and the application of high-κ gate dielectrics has become an effective approach to change this situation. Atomic layer deposition (ALD) enables high-quality integration of MoS2 and high-κ gate dielectrics at the atomic level. In this review, we summarize recent advances in the fabrication of two-dimensional MoS2 FETs using ALD high-κ materials as gate dielectrics. We first briefly discuss the research background of MoS2 FETs. Second, we expound the electrical and other essential properties of high-κ gate dielectrics, which are essential to the performance of MoS2 FETs. Finally, we focus on the advances in fabricating MoS2 FETs with ALD high-κ gate dielectrics on MoS2, as well as the optimized ALD processes. In addition, we also look forward to the development prospect of this field.
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