KCI등재후보
SCOPUS
Sinχ와 SiO₂의 유전체 덮개층을 이용한 InGaAs/GaAs 자발형성 양자점의 Intermixing = Intermixing of InGaAs/GaAs Self-assembled Quantum Dots by a Using Sinχ and SiO₂Dielectric Capping Layer
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2002
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KCI등재후보,SCOPUS
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325-330(6쪽)
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Intermixing effects of
InGaAs SAQDs (self-assembled quantum dots) grown by using APMOCVD
(atmospheric metal organic chemical vapor deposition) and
covered with SiO$_2$
and SiN$_x$-SiO$_2$ dielectric capping layers were investigated.
The intermixing of SAQDs was isothermally performed at 700$^\circ$C
by varying the annealing time under a N$_2$-gas ambient.
The PL measurement confirmed that, after thermal annealing,
the emission energy of the SAQDs was blue-shifted by 190 meV,
the full width at half maximum was narrowed from 76 meV to 47 meV
and the PL intensity was increased. Compared to SiO$_2$ single capping
layer the SiN$_x$-SiO$_2$ double capping layer
was found to induce a bigger PL intensity and a better confinement after
quantum--dot intermixing.
상압 금속 유기 화학 증착법(APMOCVD: atmospheric metal organic chemical vapor
deposition)을 사용하여 GaAs 기판 위에 자발형성 InGaAs 양자점을 성장한 후,
SiN$_x$와 SiO$_2$의 유전체 덮개층을 이용하여 양자점에 대한 intermixing 효과를 연구하였다.
양자점의 intermixing은 N$_2$ 분위기에서 700 $^\circ$C로 열처리 온도를 고정하고 시간의 변화를 주어
수행하였다. PL(photoluminescence)측정을 통하여 자발형성 InGaAs 양자점을
intermixing 시킨 결과 열처리 시간의 증가에 따라 양자점의 발광 에너지가 190 meV까지
청색편이되고, 반치폭은 76 meV에서 47 meV까지 감소하며 세기는 증가함을 확인하였다.
특히 SiN$_x$-SiO$_2$ 유전체 덮개층을 사용하는 경우 SiO$_2$층을 사용하는 경우에 비해
PL의 세기는 2배 이상 크며 carrier 구속효과는 크게 감소시키지 않는 것으로 나타났다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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