KCI우수등재
NOR Flash를 위한 하프늄 옥사이드 기반 비휘발성 메모리 소자에서의 사파이어 기판을 통한 Self-heating Effect 및 Retention 개선
저자
발행기관
학술지명
전자공학회논문지(Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers )
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발행연도
2020
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI우수등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
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29-34(6쪽)
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0
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소장기관
본 논문에서는 NOR Flash를 위한 하프늄 옥사이드(Hafnium oxide, HfO₂) 기반 비휘발성 메모리 소자를 설계하는데 있어, 기존의 SOI(Silicon On Insulator) 기반 TAHOS(TaN/Al₂O₃/HfO₂/SiO₂/Si) 구조를 대체할 SOS(Silicon On Sapphire) 기반 TAHOS 구조를 제안하였다. 사파이어(Sapphire, Al₂O₃) 물질의 뛰어난 열전도도(Thermal conductivity)를 활용하여, TAHOS 구조가 최근 겪어온 자기가열효과(Self-heating Effect)와 보존성(Retention) 문제를 개선하고자 하였다. SOS 기반 TAHOS 소자의 경우 사파이어 물질이 효과적으로 열 방출구(Heat sink)로 작용하여 self-heating effect 문제가 개선이 되며, 이는 전하트랩층 전자가 열에너지를 얻는 것을 억제하여 Retention 또한 개선되는 것을 알 수 있었다.
더보기In this paper, in designing improved HfO₂(Hafnium oxide) based nonvolatile memory for NOR Flash application, SOS(Silicon On Sapphire) based TAHOS(TaN/Al₂O₃/HfO₂/SiO₂/Si) structure is proposed as substitutable candidate for replacing conventional SOI(Silicon On Insulator) based TAHOS structure. By utilizing the magnificent thermal conductivity of sapphire(Al₂O₃) materials, we tried to improve self-heating effect and retention issue that the TAHOS structure has suffered. In the case of proposed SOS based TAHOS structure, it has been demonstrated that self-heating effect can be significantly improved since the sapphire material effectively acts as a heat sink. Furthermore, it has been shown that this suppression of self-heating effect can suppresses the electrons in charge trap layer (CTL) from obtaining thermal energy, thereby retention characteristic can be improved.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 계속평가 신청대상 (등재유지) | |
2018-01-01 | 평가 | 우수등재학술지 선정 (계속평가) | |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2014-12-11 | 학술지명변경 | 외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea -> Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers | KCI등재 |
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-10-17 | 학술지명변경 | 한글명 : 대한전자공학회 논문지 -> 전자공학회논문지 | KCI등재 |
2005-05-27 | 학술지등록 | 한글명 : 대한전자공학회 논문지외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.27 | 0.27 | 0.25 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.22 | 0.19 | 0.427 | 0.09 |
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