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SCOPUS
전자 밀도에 따른 AZO 박막의 전기광학적 특성 = Electron-Density Dependence of the Electro-Optical Properties of AZO Thin Films
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2017
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Korean
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KCI등재,SCOPUS
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학술저널
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645-649(5쪽)
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Al-doped ZnO thin films were grown by co-sputtering. As the deposition temperature was increased, the resistivity decreased, and the electron density ($n_e$) increased, which can be explained in term of the increase in the Al content, as determined by using energy dispersive X-ray spectroscopy. The mean free path of the free electrons was found not to be influenced by the grain boundary scattering, but was influenced by the grain size. The energy gap was found to increase as $n_e^{2/3}$, and the effective mass of the electrons was calculated. The intensity of the low-temperature photoluminescence (PL) spectra was proportional to the free electron density, which shows that the transition of conduction electrons to the valence band is the most important factor for PL emission.
더보기동시 스퍼터링 방법으로 Al을 도핑한 ZnO (AZO) 박막을 증착온도를 바꾸어 성장하였다. 증착온도가 높을수록 비저항이 작아지고 전자 밀도는 증가하였다. 증착온도가 높을수록 Al의 함량이 증가함을 에너지 분산 X-선 분광으로 확인하였다. 따라서 더 많은 Al이 Zn와 치환하여 도펀트 역할을 함으로 전자 밀도가 증가하고 저항은 감소하는 것을 설명하였다. 전자의 평균 자유행로를 결정입자의 크기와 비교하여 입자경계면 산란의 영향이 크지 않음을 보였다. 또 에너지 갭이 자유 전자밀도 ($n_e$)의 2/3 제곱에 비례하여 증가함에 확인하고 이로부터 전자의 유효 질량을 살펴보았다. 저온 광발광 스펙트럼의 세기가 자유 전자밀도에 비례함을 확인하고 이로부터 전도대의 전자가 가전대로의 전이에 의한 발광이 가장 큰 요인임을 알 수 있었다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
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2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
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2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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