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Band Gap Energy of SrTiO3 Thin Film Prepared by the Lizuid Phase Deposition Method
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2003
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SCOPUS,KCI등재,SCIE
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1-218(218쪽)
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Band gap energies of SrTiO3 (STO) thin film on glass substrates were studied in terms of annealing temperature. The STO thin film was fabricated by our newly developed method based on the combination of the self-assembled monolayer (SAM) technique and the liquid phase deposition (LPD) method. The as-deposited film demonstrated a direct band gap energy of about 3.65 eV, which further increased to 3.73 eV and 3.78 eV by annealing at 400C and 500C, respectively. The band gap energy saturated at about 3.70 eV for the crystallized film which was obtained by annealing at 600 - 700C. The relatively large band gap energies of our crystallized films were due to the presence of minor amorphous phase, grain boundaries and oxygen vacancies generated by annealing in air.
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