Mask modification for the shadow effect reduction by rigorous coupled-wave analysis in extreme ultraviolet lithography = Rigorous coupled-wave analysis 를 이용한 극자외선 리소그래피에서 그림자 효과를 줄이기 위한 마스크 변형
극자외선 리소그래피는 파세대 리소그래피 기술로 유력시 되고 있으며 세계적으로 널리 연구되고 있는 기술이다, 극자외선 리소그래피에서 마스크의 구조는 near-field intensity 분포에 영향을 끼친다, 마스크로 들어가는 빛의 사입사 각도에 따라 흡수체 층과 버퍼층은 그림자를 만들며 이러한 그림자 효과는 극자외선 리소그래피 마스크에서 aerial image contrast를 줄이며 결과적으로 패턴의 위치 이동을 야기시킬 수 있는 중요한 요소로 작용한다. 우리는 극자외선 리소그래피에서 일반적인 사입사 각도인 5˚로 마스크 흡수체 패턴의 옆면을 변형하였다, 변현된 마스크 에서의 전자기파와 반사도는 rigorous coupled-wave analysis를 이용하여 계산하였다.
더보기Extreme ultraviolet lithogrphy (EUVL) is believed to be the next generation lithography and so it is seriously under study globally The near-field intensity on the EUVL mask is affected by the mask structure The absorber and the buffer layer make a shadow since the light is shining on the mask at some angle to the normal on-axis This shadow effect in th EUVL mask is an important factor that decreases the contrast of the aerial image and as a result causes line-width variation and pattern shift Among the several possible mask structures we focused on the mask edge slope variation with a typical incident angle of 5˚ We analyzed electromagnetic wave around the mask by rigorous coupled-wave analysis (RCWA) and reflectivity in the modified mask structure
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