KCI등재
SCOPUS
SCIE
Electrical and frequency-dependent properties of Au/Sm2O3/n-GaN MIS junction with a high-k rare-earth Sm2O3 as interlayer
저자
V. Manjunath (Sri Venkateswara University) ; V. Rajagopal Reddy (Sri Venkateswara University) ; P.R. Sekhar Reddy (Chonbuk National University) ; V. Janardhanam (Chonbuk National University) ; 최철종 (전북대학교) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2017
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
980-988(9쪽)
KCI 피인용횟수
11
제공처
High-k rare-earth samarium oxide (Sm2O3) films are formed on n-GaN surface and analyzed its compositional properties by XPS measurements. XPS results specify that the Sm2O3 films are formed at the interface. Then, the Au/Sm2O3/n-GaN MIS junction is prepared with a Sm2O3 as insulating layer and correlated its electrical properties with the Au/n-GaN MS junction. The MIS junction shows highest barrier height ((0.81 eV (I-V)/1.0 eV (C-V)) for MIS junction than the MS junction (0.68 eV (I-V)/0.90 eV (C-V)). Excellent rectifying property is observed with lowest reverse leakage current and higher barrier height for the MIS junction than the MS junction, implying that the Sm2O3 insulating layer effectively modified the barrier height. The barrier heights determined from I-V, Cheung's, Norde and JS eV plot closely matched with each other, suggesting that these techniques are reliable and valid. The estimated interface state density of the MIS junction (1.990 1011 cm2eV1 (EC-0.82 eV)) is lower than the MS junction (9.204 1012 cm2eV1 (EC-0.70 eV)), which demonstrates that the Sm2O3 insulating layer performs an important role in lowering the interface state density. The frequency-dependent characteristics of the MS and MIS junctions are discussed in the frequency range of 10 kHz to 1 MHz and found that the determined capacitance values decrease with increasing frequency. The forward I-V characteristic of the MS and MIS junctions reveals the ohmic behavior at low voltage regions and space-chargelimited conduction at higher voltage regions. Results reveal that the reverse leakage current in the studied MS and MIS junctions is controlled by a Poole-Frenkel emission.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 1.8 | 0.18 | 1.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.92 | 0.77 | 0.297 | 0.1 |
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