KCI등재
MHEMT를 이용한 광대역 특성의 밀리미터파 Cascode 증폭기 연구 = Research on Broadband Millimeter-wave Cascode Amplifier using MHEMT
저자
백용현(Yong-Hyun Baek) ; 이상진(Sang-Jin Lee) ; 백태종(Tae-Jong Baek) ; 최석규(Seok-Gyu Choi) ; 윤진섭(Jin-Seob Yoon) ; 이진구(Jin-Koo Rhee)
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2008
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
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1-6(6쪽)
KCI 피인용횟수
1
제공처
소장기관
본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 광대역 특성을 갖는 MHEMT (Metamorphic High Electron Mobility Transistor)cascode 증폭기를 설계 및 제작하였다. Cascode 증폭기 제작을 위해 먼저 0.1 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT를 설계 및 제작하였다. 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도가 670 mA/㎜이고, 최대 전달컨덕턴스(gm)는 688 mS/㎜이며, 주파수 특성으로 전류이득 차단 주파수(fT)는 139 ㎓, 최대 공진 주파수(fmax)는 266 ㎓의 특성을 나타내었다. 설계된 cascode 증폭기는 회로의 발진을 막기 위해서 저항과 캐패시터를 co㎜om gate 소자의 드레인에 병렬로 연결하였다. Cascode 증폭기는 CPW (Coplanar Waveguide) 전송선로를 이용하여 광대역 특성을 얻을 수 있도록 정합회로를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 실험실에서 개발된 MHEMT ㎜IC 공정을 이용해 제작되었다. 제작된 cascode 증폭기의 측정결과, 3 ㏈ 대역폭이 20.76~71.13 ㎓로 50.37 ㎓의 넓은 대역 특성을 얻었으며, 대역내에서 평균 7.07 ㏈ 및 30 ㎓에서 최대 10.3 ㏈의 S21 이득 특성을 나타내었다.
더보기In this paper, millimeter-wave broadband MHEMT (Metamorphic High Electron Mobility Transistor) cascode amplifiers were designed and fabricated. The 0.1 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT was fabricated for cascode amplifiers. The DC characteristics of MHEMT are 670 mA/㎜ of drain current density, 688 mS/mm of maximum transconductance. The current gain cut-off frequency(fT) is 139 ㎓ and the maximum oscillation frequency(fmax) is 266 ㎓. To prevent oscillation of the designed cascode amplifiers, a parallel resistor and capacitor were connected to the drain of common gate device. By using the CPW (Coplanar Waveguide) transmission line, the cascode amplifier was designed and matched for the broadband characteristics. The designed amplifier was fabricated by the MHEMT MMIC process that was developed through this research. As the results of measurement, the amplifier was obtained 3 ㏈ bandwidth of 50.37 ㎓ between 20.76 to 71.13 ㎓. Also, this amplifier represents the S21 gain with the average 7.07 ㏈ gain in bandwidth and the maximum gain of 10.3 ㏈ at 30 ㎓.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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