Surface Morphology engineering applied on Y2O3 Resistive Random Access Memory and SnO2 Thin Film Transistor : 표면 개조를 통한 이트륨 산화물 기반의 저항변화 메모리소자와 주석 산화물 기반의 박막 트랜지스터 소자 성능 향상
저자
발행사항
대구 : 경북대학교 대학원, 2022
학위논문사항
발행연도
2022
작성언어
영어
DDC
621.38152 판사항(23)
발행국(도시)
대한민국
형태사항
ii, 50 p. : ill., charts ; 26 cm.
일반주기명
Advisor: 장재원.
Includes bibliographical references.
UCI식별코드
I804:22001-000000101325
소장기관
본 논문은 용액공정을 통해 표면을 개조하고 이를 통해 제작된 이트륨 산화물 기반의 저항
변화 메모리와 주석 산화물 기반의 박막 트랜지스터의 성능을 향상시키기 위한 연구에 관한
내용이다. 이트륨 산화물 기반의 저항변화 메모리의 경우 안정제의 첨가를 통해 두 가지 용
매가 섞였을 때 일어나는 공용매 반응을 통해 산화물의 표면 거칠기를 조절하였다. 이는 상
부전극과 하부전극 사이의 거리의 편차를 만들어내고, 이 편차를 통해 거리가 짧은 곳에 큰
전계가 인가되는 원리를 이용해 전도성 필라멘트를 균일하게 형성시켰다. 이를 통해 저항변
화 메모리소자의 제어성능을 향상시켰다. 저항변화 메모리소자 중 가장 통제성이 좋은 소자
로 트리에틸라민 소자가 채택되었다. 또한 용액공정을 통해 제작된 주석 산화물 기반 트랜
지스터 역시 용액공정을 통해서 만들어졌으며, 용액의 농도를 조절하여 박막의 두께를 변화
시켰다. 주석 산화물 박막의 특성을 물리적, 화학적으로 분석을 하였고, 두께가 늘어나면서
표면 거칠기가 감소되는 것을 투과 전자 현미경을 통해서 확인하였다. 거칠기가 클수록 표
면적이 늘어나 물 분자나 산소와 같은 결함요소들이 흡착되어 소자성능이 저하되는 현상을
이론적으로 정립하였고, 두께가 두꺼운 0.030, 0.033 몰농도 소자 중, 인핸스먼트형 소자로
적합한 0.030 몰농도를 가진 소자를 가장 퍼포먼스가 좋은 소자로 채택하였다.
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