산화물 유리반도체의 전기적 성질에 관한 연구 = A Study on the Electrical Property of Oxide Glass Semiconductor
저자
송인걸 (대전대학교 이과대학 물리학과)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1991
작성언어
Korean
주제어
KDC
400
자료형태
학술저널
수록면
16-26(11쪽)
제공처
소장기관
여러 개의 Fe₂O₃-P₂O?-B?O계 유리를 P₂O?의 함량을 변화시키면서 Fe₂O₃의 영역을 5∼30mole 퍼센트 범위에서 제작하였다.
본 시료의 전기전도도는 온도 영역 80∼400K범위에서 측정했는데, 온도와 철의 함량이 증가함에 따라 증가되며, 고온영역에서는 Arrhenius 방정식을 만족시키지만, 지온영역에서는 Mott's Variable Range Hopping으로 설명할 수 있었다.
활성화 에너지는 철 함량의 증가와 온도의 감소에 따라 작아지며 또한 저온영역으로 내려 갈수록 더욱 작아짐을 알 수 있다.
전류-전압 특성에서는 본 시료들이 Threshold Switching현상이 나타고 있음을 확인하였다.
Several Fe₂O₃-P₂O?-BaO glasses were prepared in the range of 5∼30mloar percent Fe₂O₃ with P₂O? contents varying from 30 to 50 molar percent. The conductivity have been measured in the temperature range 80K to 400K, and it increased with increasing of the Fe₂O₃molar percent and temperature, and also it satisfied the Arrhenius eguation exp(-E/K?T) at the high temperature, but at low temperature it can be explained by Mott's variable range hopping.
Activation energy decreased with increasing of the Fe₂O₃ molar percent and
decreasing of temperature.
Fe₂O₃-P₂O?-BaO system galsses have been found the threshold switching
phenomenon from Ⅰ-Ⅴ characteristics.
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