RTA방법에 의한 Pd- 실리사이드의 쇼트키 장벽 높이에 관한 연구 = Schottdy Barrier Heights of Palladium Silicides Formed by Rapid Thermal Annealing
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1988
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Korean
KDC
040.000
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학술저널
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117-125(9쪽)
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본 연구에서는 RTA방법에 의하여 Pd-Si계에서 우수한 Pd-Si가 형성됨을 확인하였으며 grain의 크기는 약150~200??으로 나타났다. AES스펙럼인 분석에 의하여 Ar 이온으로 sputtering하면서 얻은 Pd와 Si의 조성비는 41.5%와 58.5%로써 Pd- 실리사이드 상이 PdSi상에 거의 비슷함을 알 수 있었으며, 91eV에서 나타난 line shape는 미시구조를 나타내는 PdSi의 특성 피이크임을 보였다. 100~300K의 온도 영역에서 측정한 전류-전압특성곡선으로부터 SBH값은 0.32~0.75eV로 온도가 증가함에 따라 직선적으로 증하하였고 ideality factor n은 일반적인 값 1~2에 만족하였으며 고온영역에서는 거의 1에 근접함을 Tu 등이 실험한 값과 거의 일치됨을 보였다(Herman 1983, Tu, 1981)
Si(111)면에서는 100~150K온도범위, Si(100)면에서는 100~200K 온도범위에서는 재결합 생성중심에 의한 전류흐름을 보여 열처리시 defect를 제거하는데 충분하지 못한다는 것을 알 수가 있었다. 다라서 RTA방법에 의한 실리사이드 형성시 실리콘 표면 영역에서 발생한는 defect를 제거하는 방법만 보완시키면 PdSi접촉을 이용하는 어떤 바이폴라 집적회로의 응용에도 가능하며 RTA는 장시간 열처리를 수반하는 전기로 열처리 방법보다 더 간편하고, 소자의 다른 특성을 변화시키지 않으므로 전이금속 실리사이드 형성에 우수한 장치로 평가된다.
Formation of the palladium silicides was performed by the rapid thermal annealing using quartaz-halogen tungsten lamps. The Schottky-barrier heights of palladium silicides on both n-type(100)and(111)-oriented Si wafers have been measrued in the temperature range 100-300k with use of a current-voltoge thechnique. Silicide formation was monitored by glancing -angle X-ray diffraction and AES.
The values of the barrier heights are 0.32-0.74eV for Si(111) and 0.34-0.75eV for Si(100) at temperaure in the range 100-300k.
The barrier heights depend primarily on the metal deposited and not on the partivular silicide phase.
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