KCI등재후보
고주파모델링을 위한 이중게이트 FET의 열잡음 파라미터 추출과 분석 = Extraction and Analysis of Dual Gate FET Noise Parameter for High Frequency Modeling
저자
김규철 (목포해양대학교) ; Kim, Gue-Chol
발행기관
학술지명
한국전자통신학회 논문지(The Journal of The Korea Institute of Electronic Communication Sciences)
권호사항
발행연도
2013
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재후보
자료형태
학술저널
수록면
1633-1640(8쪽)
KCI 피인용횟수
1
DOI식별코드
제공처
In this paper, noise parameters for high frequency modeling of dual-gate FET are extracted and analyzed. To extract thermal noise parameter of dual gate, noise characteristics are measured by changing input impedance of noise source using Tuner, and the influence of pad parasitic elements are subtracted using open and short dummy structure. Measured results indicated that the dual-gate FET is improved the noise figure by 0.2dB compared with conventional cascode structure FET at 5GHz, and it confirmed that the noise figure has dropped due to reduction of capacitances between the drain and source, gate and drain by simulation and analysis of small-signal parameters.
더보기본 논문에서는 이중게이트 FET를 고주파회로에 응용하기 위해 필요한 열잡음 파라미터를 추출하여 그 특성을 분석하였다. 이중게이트 열잡음 파라미터를 추출하기 위해 튜너를 이용해 잡음원의 임피던스를 바꿔가며 잡음특성을 측정하였으며, open과 short 더미를 이용해서 패드의 기생성분을 제거하였다. 측정결과 일반적인 캐스코드구조의 FET와 비교해서 5GHz에서 약 0.2dB의 잡음 개선효과가 있음을 확인하였으며, 시뮬레이션과 소신호 파라미터 분석을 통해 드레인 소스 및 드레인 게이트간 캐패시턴스의 감소에 의해 잡음지수가 줄어들었음을 확인하였다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2015-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (계속평가) | KCI후보 |
2013-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) | KCI후보 |
2012-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (기타) | KCI후보 |
2011-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2009-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
2007-08-27 | 학회명변경 | 한글명 : 학국전자통신학회 -> 한국전자통신학회영문명 : The Korea Insitute of Electronic Communication Sciences -> The Korea Institute of Electronic Communication Sciences |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.89 | 0.89 | 0.79 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.77 | 0.76 | 0.698 | 0.27 |
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