Effect of Zinc Oxide Nanowires on the Electrical Performance of Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors
저자
Choi, Seungil ; Lim, Yooseng ; Jang, Min Hyung ; Park, Ji In ; Hwang, Nam Kyung ; Yi, Moonsuk
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2017
작성언어
-자료형태
학술저널
수록면
7917-7920(4쪽)
제공처
<P>We investigated the performance of zinc oxide (ZnO) nanowires in indium zinc oxide (IZO) thin-film transistors. These transistors were fabricated with ZnO nanowires channel layers, which were deposited by a solution process, whereas the IZO channel layers were deposited by a radio-frequency magnetron sputtering system. We varied the nanowire composition ratio from 0.05 to 0.2, keeping the IZO channel layers fixed to investigate the effects of the nanowires. At a nanowires composition ratio of 0.1 wt%, the saturation mobility of the IZO/ZnO nanowires thin-film transistors decreased to 28.8 cm(2)/V.s, the threshold voltage shifted to a more positive voltage than the pure IZO thin-film transistors, and the subthreshold swing increased to 0.79 V/dec. We used an X-ray photoelectron spectroscope, an atomic force microscope, and a field-emission scanning electron microscope to investigate the electrical performances, binding energy and surface roughness of the IZO/ZnO nanowire thin-film transistors.</P>
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