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스테인레스 강의 침붕처리에 관한 연구 = The Liquid Boronizing of Stainless Steel
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발행연도
1978
작성언어
Korean
KDC
436
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
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96-104(9쪽)
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내식성과 가공성이 양호한 스테인레스강의 내마멸성을 향상시키기 위해서 SiC를 함유한 붕사 용융염 내에서 스테인레스강을 액체 침붕처리하여 침붕층의 깊이, 미소경도, 현미경조직 및 내마멸성에 대한 영향을 조사하였다.
그 결과, 용융액내의 SiC량이 증가할수록, 침붕시간이 길수록, 침붕온도가 높을수록 침붕층의 깊이 및 시편표면의 미소경도가 증가하였으나, SiC의 양이 40%이상이 되면 붕사 용융액의 유동성이 저하되어 침붕층 깊이는 증가되지 않는다. 또한 430 스테인레스강의 침붕층 깊이는 304 스테인레스강의 침붕층 깊이보다 20∼30%정도 증가했으며, 동일 조건에서 침붕처리된 저탄소강에 비해 침붕층 깊이는 약 1/2이다.
윤활제를 사용하여, 마찰속도, 마찰거리 및 최종하중, 접촉압력의 변화에 따른 내마멸성 시험을 한 결과, 침붕처리한 시편의 내마멸성은 침붕처리하지 않은 시편에 비해 약 100배 정도 되었으며, 가장 양호한 내마멸성을 가지는 침붕처리 조건은 25∼35% SiC/Na₂B₄O_7의 용융액 조성, 침붕온도는 950℃ 부근, 침붕시간은 9시간 부근이었다. 액체 침붕처리된 시편은 tempering하거나, 또는 주위의 온도를 상승시켜가며 내마멸성 시험을 한 경우에도 내마멸성은 향상되었다.
The liquid boronizing of stainless steel to improve its wear resistance has been studied by means of the measurement of the boronized depth and the microhardness, the observation of the microstructure and the test of wear resistance. Liquid boronizing was carried out in molten borax containing various proportion of SiC.
The boronized depth and the microhardness at the surface layer were increased with increasing the SiC content, boronizing time and temperature, but boronized depth increased little due to the rapid deterioration of fluidity of molten bath when the amount of SiC in the molten borax exceeded 40%. The boronized depth of the stainless steel was about half that of low carbon steel which was boronized at the same condition, and the boronized depth of 430 stainless steel was larger by 20-30% than that of 304 stainless steel.
The wear resistance of the boronized specimen was increased remarkably (about 100 times) than that of the non-boronized specimen, and the wear resistance was improved when tempered the pre-boronized specimen and tested the boronized specimen at elevated temperature. The optimum condition for the best wear resistance was found to be as follows:
1) Bath composition was 25-35% SiC/Na₂B₄O_7.
2) Boronizing temperature was in the vicinity of 950℃.
3) Boronizing time was about 9 hrs.
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