Si(111)7×7 위에 Mg을 흡착시켜 표면 구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT∼200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는 7×7에서 diffused 1×1, 그리고 2√3/3×2√3/3-R30° 구조로 변화하였다. 이를 thermal annealing하여 3-Domain 3×1 구조를 관측하였고, 이 결과는 J. Quinn등의 결과와 일치함을 알 수 있다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 diffuse 1×1, Single domain 3×1구조(450℃)에 대하여 Mg(KLL)/Si(2p) peak intensity ratio를 증착량 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 흡착에 대한 mechanism을 제시하였다.
Change of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption was studied by RHEED(Reflection HI호 Energy Electron Diffraction) and XPS(X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED patterns of Si(111)7×7 were changed to the diffuse 1×1 and 2√3/3×2√3/3-R30° patterns with increasing the deposition times of Mg at RT. The diffuse 1×1, 3-domain, and single domain 3×1 structures appeared successively at the adsorption temperature of 300, 350 and 450℃, respectively. We could find the relative coverages of these structures by measuring Mg(KLL)/Si2p XPS intensity ratio.
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