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졸겔법으로 제조한 ErMnO3 박막의 강유전 특성 = Ferroelectric Properties of ErMnO3 Thin Film Prepared by Sol-gel method
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2002
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KCI등재,SCOPUS,SCIE
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Ferroelectric properties of ErMnO3 thin films deposited on Si(100) substrate using Sol-Gel process with metal salts were investigated. ErMnO3 thin films with a (001) preferred orientation were crystallized at 800℃. The ErMnO3 thin film post-annealed at 800℃ for 1h showed the dielectric constant(k) of 26 and the dielectric loss(tan δ) of 0.032 at the frequency range from 1 to 100 KHz. The grain size of ErMnO3 thin film post-annealed at 800℃ for 1h was 10~30 ㎚. The remanent polarization(Pr) of the ErMnO3 thin films increased with increasing (001) preferred orientation. The ErMnO3 thin films post-annealed at 800℃ for 1h showed the remanent polarization(Pr) of 400 nC/cm2, with the increase of post-annealing time at 800℃, the coercive field(Ec) of thin films was lowered because the dense and homogeneous thin films were obtained.
더보기Er(NO3)3·5H2O, Mn(CH3CO2)2·4H2O를 출발원료로 사용하여 졸-겔 법으로 Si(100) 기판 위에 코팅된 ErMnO3 박막의 강유전 특성에 관하여 연구하였다. ErMnO3 박막은 800 에서 결정화가 시작되었으며, (001)로 우선 배향된 ErMnO3 박막을 얻을 수 있었다. 본 실험에서 800 에서 1h 열처리하여 얻은 ErMnO3 박막은 1∼100 KHz의 주파수 범위에서 유전 상수(K)는 26, 유전 손실(tan )은 0.032 의 값을 나타내었으며, 이때 ErMnO3 박막의 입자 크기는 10∼30 ㎚ 이었다. 강유전 특성은 (001) 배향성이 증가할수록 잔류 분극 값이 증가하였으며, 800 에서 1시간 열처리하여 ErMnO3 박막의 잔류 분극 값(Pr)은 400 nC/㎠를 나타내었다. 또한 열처리 시간이 증가할수록 치밀하고 균일한 박막을 얻어 낮은 항전계(Ec) 값을 가졌다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.16 | 0.16 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.16 | 0.16 | 0.331 | 0.06 |
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