질소분압에 따른 TaNx coating층의 미세조직 연구 = A Study on Microstructure of TaNx Thin Layer Coated under various N₂/Ar Fraction
저자
발행기관
순천향대학교 부설 산업기술연구소(Institute for Industrial Technology SOONCHUNHYANG UNIVERSITY)
학술지명
순천향 산업기술연구소논문집(Soonchunhyang Journal of Institute for Industrial Technology)
권호사항
발행연도
1998
작성언어
Korean
KDC
504
자료형태
학술저널
수록면
1333-1342(10쪽)
제공처
소장기관
TaNx film were fabricated for this research by the reactive magnetron sputtering process. In order to improve TCR, it was investigated the transformation of coated TaNx film. The variables were the N₂/Ar fraction and the thermal heat-treatment. The electrical resistance and the TCR of specimen were measured. It was observed the microstructure change under thermal heat-treatment by XRD experiment. Also the morphology of TaNx film was observed by SEM. As a result, TCR was stabilized when N₂/Ar fraction were 0.166 to 0.25. The phases of as-coated TaNx film were Ta, TaN, β-Ta and amorphous. The new phases, Ta₄N and Ta₃N?? were formed after thermal heat-treatment. As the ratio of nitrogen gas was increased, the morphology of the layer was changed to a discontinuous island particle. These results were consistent with results of electrical resistance change.
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