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GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs 구조에서의 Photoreflectance 특성 연구 = Photoreflectance Characteristics of
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2006
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KCI등재,SCOPUS
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420-424(5쪽)
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We have studied the photoreflectance (PR) of
GaAs/In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As/GaAs heterostructures with different
thicknesses of InGaAs layers grown by using metal-organic
chemical-vapor deposition (MOCVD). The room-temperature PR spectra
show two typical signals, around 1.42 and 1.30 eV, which can be
attributed to the band gap energies of GaAs and InGaAs,
respectively. In addition, we observe Franz-Keldysh oscillations
above the InGaAs fundamental band gap. From these oscillations, we
calculate the electric fields at the In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As/GaAs
interface. Also, the temperature dependence of the PR peak is
investigated.
GaAs/In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As/GaAs 이종접합 구조에서 InGaAs 층의
두께에 따른 광 특성을 photoreflectance (PR) 방법으로 조사하였다.
그리고 상온 PR 스펙트럼에서 GaAs의 밴드갭에 관련된 신호가 약 1.42
eV에서 관측되었으며, 그리고 In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As에 관계된 신호는
두께 70, 150 및 300 nm에 대해서 각각 1.311, 1.296 및 1.287 eV에서
관측되었다. 상온 및 저온에서 Franz-Keldysh oscillations (FKOs)이
In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As와 GaAs 밴드갭 에너지 사이에서 관측되었으며,
FKO의 주기를 통해 In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As/GaAs의 계면 전기장 값을
구하였다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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