KCI등재후보
선택적인 다공질 실리콘 에칭법을 이용한 압저항형 실리콘가속도 센서의 제조 = Fabrication of Piezoresistive Silicon Acceleration Sensor Using Selectively Porous Silicon Etching Method
저자
심준환 ; 김동기 ; 조찬섭 ; 태흥식 ; 함성호 ; 이종현 ( Jun Hwan Sim ; Dong Ki Kim ; Chan Seob Cho ; Heung Sik Tae ; Sung Ho Hahm ; Jong Hyun Lee )
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1996
작성언어
-KDC
500
등재정보
KCI등재후보
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
21-29(9쪽)
제공처
소장기관
A piezoresistive silicon acceleration sensor with 8 beams, utilized by an unique silicon micromachining technique using porous silicon etching method which was fabricated on the selectively diffused (111)-oriented n/n/n silicon subtrates. The width, length, and thickness of the beam was 100 ㎛, 500 ㎛, and 7 ㎛, respectively, and the diameter of the mass paddle (the region suspended by the eight beams) was 1.4 mm. The seismic mass on the mass paddle was formed about 2 mg so as to measure accelerations of the range of 50g for automotive applications. For the formation of the mass, the solder mass was loaded on the mass paddle by dispensing Pb/Sn/Ag solder paste. After the solder paste is deposited, Heat treatment was carried out on the 3-zone reflow equipment. The decay time of the output signal to impulse excitation of the fabricated sensor was observed for approximately 30 ms. The sensitivity measured through summing circuit was 2.9 mV/g and the nonlinearity of the sensor was less than 2% of the full scale output. The output deviation of each bridge was ±4%. The cross-axis sensitivity was within 4% and the resonant frequency was found to be 2.15 kHz from the FEM simulation results.
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