MeV ?? 자기 이온주입된 단결정 Silicon내의 결함 거동 = Defect Formation and Annealing Behavior in MeV ?? Self-Implanted Silicon
저자
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학술지명
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발행연도
1995
작성언어
Korean
KDC
505.000
자료형태
학술저널
수록면
699-715(17쪽)
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In this study MeV Si? self ion implantations were done to reveal the intrinsic behaior of defect formation by excluding the possibility of chemical interactions between substrate atom and dopant atoms. Self implantation was conducted using Tandem Accelerator with energy ranges from 1 to 3 MeV. Defect formation by high energy ion implantation has a significant characterristica in that the lattice damage is concentrated near R? and isolated from the surface. In order to investigate the energy dependence on defect formation, implantation energies were varied from 1 to 3 MeV under a constant dose of 1X10?/㎠. RBS channeled spectra showed that the depth at which as-implanted damaged layer formed increase as energy increase and that near surface region maintains better crystallinity as energy increase. Cross sectional TEM results agree well with RBS ones. In a TEM image as implanted damaged layer appears as a dark band, where secondary defects are formed upon annealing. In the case of 2 MeV Si? self implantation a critical dose of the secondary defect formation was found out to be between 3X10?/㎠ and 5X10?/㎠, upon annealing the upper layer of the dark band was removed while the bottom part of the dark band did not move. The observed defect behavior by TEM was interpreted by Monte Carlo computer simulations using TRIM-code. SIMS analyses indicated that the secondary defect formed after annealing gettered oxygen impurities existed in silicon.
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