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RF 스퍼터링 및 급속열처리 공정으로 제작한 ZnS:Nd 박막의 구조 및 광학적 특성 = Structure and Optical Properties of ZnS:Nd Thin filmsss Produced by RF Sputtering and Rapid Thermal Annealing Process
저자
발행기관
학술지명
한국전자통신학회 논문지(The Journal of The Korea Institute of Electronic Communication Sciences)
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발행연도
2021
작성언어
-주제어
KDC
567
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
233-239(7쪽)
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0
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다양한 함량으로 네오디뮴이 도핑된 황화아연 박막제작은 RF 마그네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 황화아연과 네오디뮴을 동시 증착하여 박막을 제작하였고, 후처리 공정으로 급속열처리를 400℃에서 30분간 실시하였다. 다양한 네오디뮴의 도핑 함량(0.35at.%, 1.31at.%, 1.82at.% 및 1.90at.%)을 갖는 ZnS 박막의 구조, 형태, 광학적 특성을 연구하였다. X-선 회절 패턴은 모든 박막에서 (111)방향의 큐빅 구조로 성장하였다. SEM 이미 지와 AFM 이미지를 통해 네오디뮴 도핑 함량에 의한 박막의 표면 및 구조적 형태에 대하여 설명하였다. EDAX를 통해 다른 불순물이 포함되지 않은 Zn, S 및 Nd의 원소만을 확인하였다. UV-vis 스펙트럼을 이용하여 제작된 박막의 투과율과 밴드갭을 확인하였다.
더보기For the production of neodymium-doped zinc sulfide thin films in various amounts, zinc sulfide and neodymium were simultaneously deposited using an RF magnetron sputtering equipment to form a thin films, and rapid thermal annealing was performed at 400°C for 30 minutes as a post-treatment process. The structure, shape, and optical properties of ZnS thin films having various neodymium doping contents (0.35at.%, 1.31at.%, 1.82at.% and 1.90at.%) were studied. The X-ray diffraction pattern was grown to a (111) cubic structure in all thin films. The surface and structural morphology of the thin films due to the neodymium doping content was explained through SEM and AFM images. Only elements of Zn, S, and Nd that do not contain other impurities were identified through EDAX. The transmittance and band gap of the prepared thin films were confirmed using the UV-vis spectrum.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2016-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (계속평가) | KCI후보 |
2015-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (계속평가) | KCI후보 |
2013-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) | KCI후보 |
2012-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (기타) | KCI후보 |
2011-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2009-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
2007-08-27 | 학회명변경 | 한글명 : 학국전자통신학회 -> 한국전자통신학회영문명 : The Korea Insitute of Electronic Communication Sciences -> The Korea Institute of Electronic Communication Sciences |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.89 | 0.89 | 0.79 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.77 | 0.76 | 0.698 | 0.27 |
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