Se薄膜의 太陽電池 製作에 關하여 = On the Fabrication of the Se thin film Solar Cell
저자
발행기관
濟州大學校 基礎科學硏究所(RESEARCH INSTITUTE FOR BASIC SCIENCES CHEJU NATIONAL UNIVERSITY)
학술지명
基礎科學硏究(THE JOURNAL OF BASIC SCIENCES CHEJU NATIONAL UNIVERSITY)
권호사항
발행연도
1988
작성언어
Korean
KDC
404
자료형태
학술저널
수록면
83-87(5쪽)
제공처
소장기관
진공증착법에 의하여 ITO막과 Se막 사이에 Se의 균열을 보완하기 위하여 CdSe막을 0.025㎛ 두게로 증착하여 MIS-type ITO/Se 태양전지를 제작하였다.
열처리한 CdSe막의 비저항은 ??였고 결정이 microcrystalline됨을 보였다. cell의 I-V특성에서 Voc가 0.22V, Isc는 ??이고, fill factor는 0.48로 얻어졌으며 효율은 6.8%이다. 또한 MIS type인 ITO/CdSe/Se/Au cell구조에서 barrier height는 0.64eV로 얻어졌다. 따라서 Se막의 균열과 CdSe 막의 열처리에 따른 shunt저항, series저항증가에 따른 문제점이 해결된다면 실내에서 사용되는 계산기나 LSI game machine의 전원으로 이용할 수 있으리라 기대된다.
A selenium thin film solar cell incorporates an ITO/CdSe/Se/Au structure and was fabricated by vacuum evaporation. The CdSe layer was treated at 250℃ for 1 hour, and the crystalline form seem to be microcrystalline. Its resistivity was higher than 10? Ω· cm.
The cell characteristics were investigated by measuring I-V, C-V in the dark and under the illumination at 100mW/㎠, and the results obtained were η=6.8%, Voc=0.22 volt, ??, and F.F=0.48 respectively.
The structure of this cell is MIS type and the barrier heights deduced from saturation current Isc with I-V characteristics was 0.64eV.
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