KCI우수등재
SCOPUS
Mo / Si 다층박막에서의 고상확산에 의한 실리사이드 생성에 관한 연구
저자
지응준(E. J. Chi) ; 곽준섭(J. S. Kwak) ; 심재엽(J. Y. Shim) ; 백흥구(H. K. Baik)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1993
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
507-514(8쪽)
제공처
RF magnetron sputtering법으로 제조된 Mo/Si 다층박막의 고상반응을 DSC와 XRD를 이용하여 규명하고, 이를 유효구동력 및 유효생성열 개념을 적용하여 고찰하였다. Constant scanning rate DSC 분석에서는 h-MoSi₂와 t-MoSi₂의 생성에 따른 2개의 발열 peak이 관찰되었다. h-MoSi₂와 t-MoSi₂의 생성을 위한 활성화에너지는 각각 1.5eV와 7.8eV이었으며, 이들의 생성은 핵생성이 율속 단계임을 규명하였다. Mo/Si계에서는 비정질상이 생성되지 않았으며 이는 유효구동력에 의한 예측과 일치한다. 최초 결정상인 h-MoSi₂는 t-MoSi₂보다 작은 계면에너지를 갖는 것으로 사료되며, 온도가 증가함에 따라 h-MoSi₂는 보다 안정한 t-MoSi₂로 변태하였다.
더보기The solid state reaction of Mo/Si multilayer thin films produced by RF magnetron sputtering technique was examined using differential scanning calorimetry (DSC) and x-ray diffraction, and explained in view of two concepts, effective driving force and effective heat of formation. In constant scanning rate DSC, there were two exothermic peaks which corresponded to the formation of h-MoSi₂ and t-MoSi₂, respectively. The activation energy for the formation of h-MoSi₂ was 1.5eV, and that of t-MoSi₂ was 7.8 eV. Nucleation was the rate controlling mechanism for each of the silicide formation. Amorphous phase was not formed, which was consistent with the prediction by the concept of effective driving force. h-MoSi₂, the first crystalline phase, was considered to have lower interfacial free energy than t-MoSi₂, and by increasing temperature it was transformed into more stable t-MoSi₂.
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