SiC MOSFET 양성자 조사 영향 분석
저자
김채윤(Chaeyun Kim) ; 전국화(Gukhwa Jeon) ; 윤효원(Hyowon Yoon) ; 박영은(Yeongeun Park) ; 김광재(Gwangjae Kim) ; 김상엽(Sangyeob Kim) ; 강규혁(Gyuhyeok Kang) ; 신강희(Kanghee Shin) ; 김동석(Dong-Seok Kim) ; 석오균(Ogyun Seok)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2023
작성언어
Korean
KDC
569
자료형태
학술저널
수록면
419-422(4쪽)
제공처
SiC MOSFET has excellent breakdown characteristics owing to high critical electric field. In addition, it is attracting attention as a power semiconductor for electric vehicle or satellite because it can miniaturize the power module due to its low on-resistance. Particularly in the space environment, the TID effects occur due to the influence of radiation, causing serious malfunctions of power devices. In this paper, SiC MOSFET and ntype MOSCAP were irradiated with proton to analyze effects of cosmic radiation. As a result of irradiating high-energy proton, a hole trap is created inside because of the TID effects. Because of the hole trap, the electrical characteristics such as threshold voltage, on-resistance, and breakdown voltage of the MOSFET were changed. In addition, as a result of extracting oxide characteristics by irradiating MOSCAP with the same conditions, it was verified that the fixed charge inside the oxide increased. Finally, the breakdown characteristic degradation mechanism was proved by edge termination simulation using TCAD. In this paper, the TID effects by irradiation is verified through experiments and simulations.
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