KCI등재
NiFe / Co / Al₂O₃ / Co / IrMn 접합의 터널링 자기저항효과 = Tunneling Magnetoresistance Effect for NiFe / Co / Al₂O₃ / Co / IrMn Junctions
저자
홍성민(Seong-Min Hong) ; 이한춘(Han-Choon Lee) ; 김택기(Taik-Kee Kim) ; N. Tezuka(N. Tezuka) ; T. Miyazaki(T. Miyazaki)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1999
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
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수록면
291-295(5쪽)
제공처
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IrMn을 반강자성체로 사용하고 순수한 Al을 자연산화 시켜서 제작한 Al2O3를 절연층으로 사용한 spin-valve 형태의 NiFe/Co/Al₂O₃/Co/IrMn 터널링 접합의 자기저항효과를 조사하였다. IrMn의 두께가 약 100Å이상일 경우 강자성체와의 교환상호작용이 발생하기 때문에 NiFe(183Å)/Co(17Å)/Al-oxide(16Å)/Co(100Å)/IrMn(100Å) 터널링 접합에서 자기저항효과가 관찰되며 TMR비(%)는 ±20 Oe의 인가자장에서 10 %이상의 값을 갖는다. 하부 자성층인 NiFe/Co의 길이방향으로 수행한 자장 중 열처리에 의해 저항은 다소 감소하고 TMR비(%)는 열처리온도에 따라 증가하여 200 ℃에서 23%의 최대값을 갖는다. 자성층의 폭을 변화시켜 접합면적을 달리한 시료의 TMR비(%)는 접합면적이 증가할수록 증가하고 저항은 감소한다.
더보기NiFc/Co/Al₂O₃/Co/IrMn tunneling junctions were grown on (100)Si wafer and their spin-valve tunneling magnetoresistance (TMR) was studied. The tunneling junctions were grown by using a 5-gun RF/DC magnetron sputter. Al2O3 barrier layer was formed by exposing Al layer to oxygen atmosphere at 60℃ for 72 hours. Strong exchange coupling interaction is observed between the ferromagnetic Co and the anti ferromagnetic IrMn of Co/IrMn bilayer when IrMn is 100 Å thick. NiFc(183 Å)/Co(17 Å)/Al-oxide(16 Å)/Co(100 Å)/IrMn(100 Å) tunneling junction shows best TMR ratio of about 10% in the applied magnetic field range of ±20 Oe. The TMR ratio is improved about 23% and electrical resistance is decreased about 34% when annealed at 200℃ for I hour in magnetic field of 330 Oe, parallel to the bottom electrode. With increasing the active area of junction the TMR ratio increases while electrical resistance decreases.
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