SCOPUS
KCI등재
반구형 LPCVD 다결정 실리콘 박막의 구조 및 특성 = Structure and Properties of Hemispherical Grain LPCVD Polycrystalline Silicon Films
저자
박영진 ; 전하응 ; 이승석 ; 이석희 ; 우상호 ; 김종철 ; 박헌섭 ; 천희곤 ; 오계환 ; Park, Yeong-Jin ; Jeon, Ha-Eung ; Lee, Seung-Seok ; Lee, Seok-Hui ; U, Sang-Ho ; Kim, Jong-Cheol ; Park, Heon-Seop ; Cheon, Hui-Gon ; O, Gye-Hwan
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1991
작성언어
Korean
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
77-85(9쪽)
제공처
소장기관
LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) System을 이용하여 여러가지 증착 변수에 따른 실리콘 박막의 표면형상에 대해 고찰하였다. 중착압력, 중착온도, 반응기체의 유속에 따라 증착층의 표면형상이 큰 변화를 나타냈으며, 증착압력과 반응기체의 유속이 증가할수록 유효면적이 최대가 되는 증착온도가 증가하였다. 이러한 실험결과는 안정한 핵의 생성률이 최대가 될때 유효표면적이 최대가 된다는 가정으로부터 유도된 식과 일치하는 결과를 나타냈다.
더보기In this study we have investigated surface morphologies of as-deposited silicon films on the various deposition conditions using LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) System. The processing conditions such as deposition temperature, pressure and flow rate of $SiH_4$ gas were found to determine the surface morphology. The optimum temperature of maximum effective surface area increased with increasing the deposition pressure and the flow rate of $SiH_4$ gas, These experimental results were also in quite good agreement with the equation derived under the assumption that the maximum effective surface area is obtained on the condition of maximum nucleation rate.
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