본 연구에서는 RF/DC 마그네크론 스퍼터링 시스템과 RTA를 이용하여 열처리를 하므로써 실리콘산화질화막(SiOxNy) 제조를 시도 하였다. 우선 상온에서 스퍼터로 실리콘(100) 기판 위에 실리콘산화막(SiO_2)을 제조한 후 900℃에서 질소분위기로 열처리를 하여 박막을 제조한 후 물리적, 화학적 특성들에 대하여 알아보았다. XRD 패턴을 확인해 본 결과 질소와 실리콘산화질화물의 피크가 관찰되지 않았다. 이는 EDX의 선분석과 XPS의 관찰에서도 같은 결과가 나타났다. AFM을 이용해 표면을 살펴 본 결과 실리몬(100) 기판의 영향으로 글라스 기판과는 달리 일정한 방향으로 증착되었으며 열러치 후 다소 부드러운 표면이 관찰되었음을 알 수 있었다. 암모니아(NH_3)와는 달리 스퍼터링의 플라즈마를 이용한 안정적인 질소가스의 이온화가 쉽게 이루어지지 않았던 것과 마찬가지로 RTA를 이용한 열처리에서도 질소가스의 반응성은 매우 낮은 것으로 사료된다.
더보기In this study, the grows of silicon oxynitride(SiOxNy) by using RF/DC sputtering method and RTA*rapid thermal annealing) method. Silicon oxynitride(SiOxNy) thin films were annealed at 900℃ in N_2 gas. From XRD results, It was not observed that the peak of the films enhance as the increase of annealing temperature and time. This result was certified by EDX and XPS analysis. From AFM results, the surface roughness were decreased with annealing. The results can be used as basic study for development of high ability insulator.
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