SCOPUS
KCI등재
실리콘 기판위에서의 Cr-Doped SrZrO<sub>3</sub> 박막의 저항변화 특성 = Resistive Switching Properties of Cr-Doped SrZrO<sub>3</sub> Thin Film on Si Substrate
저자
양민규 (연세대학교) ; 고태국 (연세대학교) ; 박재완 (한양대학교) ; 이전국 (한국과학기술연구원) ; Yang, Min-Kyu ; Ko, Tae-Kuk ; Park, Jae-Wan ; Lee, Jeon-Kook
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2010
작성언어
Korean
주제어
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
241-245(5쪽)
제공처
One of the weak points of the Cr-doped SZO is that until now, it has only been fabricated on perovskite substrates, whereas NiO-ReRAM devices have already been deposited on Si substrates. The fabrication of RAM devices on Si substrates is important for commercialization because conventional electronics are based mainly on silicon materials. Cr-doped ReRAM will find a wide range of applications in embedded systems or conventional memory device manufacturing processes if it can be fabricated on Si substrates. For application of the commercial memory device, Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite thin films were deposited on a $SrRuO_3$ bottom electrode/Si(100)substrate using pulsed laser deposition. XRD peaks corresponding to the (112), (004) and (132) planes of both the SZO and SRO were observed with the highest intensity along the (112) direction. The positions of the SZO grains matched those of the SRO grains. A well-controlled interface between the $SrZrO_3$:Cr perovskite and the $SrRuO_3$ bottom electrode were fabricated, so that good resistive switching behavior was observed with an on/off ratio higher than $10^2$. A pulse test showed the switching behavior of the Pt/$SrZrO_3:Cr/SrRuO^3$ device under a pulse of 10 kHz for $10^4$ cycles. The resistive switching memory devices made of the Cr-doped $SrZrO_3$ thin films deposited on Si substrates are expected to be more compatible with conventional Si-based electronics.
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