KCI우수등재
SCOPUS
급속열처리에 의한 MOCVD - Cu / TiN / Si 구조의 후열처리 특성
저자
김윤태(Youn Tae Kim) ; 전치훈(Chi-Hoon Jun) ; 백종태(Jong Tae Baek) ; 김대룡(Dai-Ryong Kim) ; 유형준(Hyung Joun Yoo)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
28-35(8쪽)
제공처
소장기관
급속열처리에 따른 (hfac)Cu(VTMS) 구리원으로 증착한 구리 박막의 특성개선 효과와 TiN 층의 확산방지 특성의 변화를 고찰하였다. 구라 박막의 특성 변화는 열처리 시간보다 열처리 온도의 변화에 더 민감하며, 후열처리에 의해 Cu/TiN 구조의 전기적 특성과 더불어 미세구조 변화가 뚜렷하게 나타났다. 400℃ 이상에서 면저항의 증가가 시작되어 600℃ 이상에서 구리와 TiN의 상호 반응과 구리박막 표면에서의 산화물 형성이 관찰되었다. 후열처리에 의한 결정립 성장은 (111) 배향을 나타내었고, 500℃에서 결정립의 성장이 가장 활발하게 나타났다. MOCVD-Cu/PVD-TiN 구조에서 TiN 층의 확산방지 특성을 충분히 유지시키면서 구리 박막의 전기적 특성을 개선시킬 수 있는 열처리 공정 온도는 400℃ 정도가 적정한 것으로 판단되었다.
더보기Effects of rapid thermal annealing on the characteristics of Cu films deposited from the (hfac) Cu(VTMS) precursor and on the barrier properties of TiN layers were studied. By the post-annealing, the electrical characteristics of Cu/TiN and the microstructures of Cu films were significantly changed. The properties of Cu films were more sensitive to the annealing temperature than the annealing time. Sheet resistance started to increase above 400℃, and the interreaction between Cu and Ti and the oxidation of Cu layer were observed above 600℃. The grain growth of Cu with the (111) preferred orientation was found to be most pronounced at 500℃. It revealed that the optimum annealing conditions for MOCVD-Cu/PVD-TiN structures to enhance the electrical characteristics without degradation of TiN barriers were in the range of 400℃.
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