본 연구에서 SBT 박막은 Cl_2양을 변화하면서 Cl_2/Ar 가스 플라즈마를 이용하여 식각하였다. 최대 식각 속도는 Cl_2(20%)/Ar(80%) 가스혼합비에서 883A˚/min 이었다. Cl_2 가스양이 증가함에 따라서 SBT 박막의 식각 속도는 감소하였다. 이는 Ar 이온의 물리적 스퍼터링에 의한 영향이 화확 반응에 의한 식각보다 우세하게 작용함을 의미한다. 식각 메커니즘을 규명하기 위하여 optical emission spectroscopy (OES), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary ion mass spectrometry (SIMS)와 atomic force microscopy (AFM) 분석을 하였다. AFM 분석결과에서 Ar이나 Cl12 플라즈마를 이용하여 식각된 시료의 표면 거칠기 rms 값이 식각전의 시료나 Cl_2/Ar 플라즈마로 식각된 시료보다 크다. 이는 식각된 시료에서의 Bi 양의 감소나 비휘발성 식각 잔류물에 의한 영향이다. XPS와 SIMS 분석을 통하여 검증하였다.
SBT thin films were etched at different content of Cl_2 in Cl_2/Ar. The maximum etch rate of SBT was 883A˚/min in Cl_2(20%)/Ar(80%). As Cl_2 gas increased in Cl_2/Ar gas plasma, the etch rate decreased. The result indicates that physical sputtering of Ar ion is dominant to chemical reaction in etching SBT thin films. To evaluate the etching mechanism of SBT thin films, optical emission spectroscopy (OES), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary ion mass spectrometry (SIMS) and atomic force microscopy (AFM) were carried out. From the result of AFM, the rms values of etched samples in Ar only or Cl_2 only plasma were higher than that of as-deposited, Cl_2/Ar. This can be illustrated by a decrease of Bi content or nonvolatile etching products(Sr-Cl and Ta-Cl), which are revealed by XPS and SIMS.
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)