KCI등재
SCOPUS
SCIE
Synthesis of monolayer 2D MoS2quantum dots and nanomeshfilms by inorganic molecular chemical vapor deposition forquantum confinement effect control
저자
Chaehyeon Ahn (Department of Chemistry, Gwangju Institute ofScience and Technology (GIST), Gwangju,Republic of Korea) ; Hyunseob Lim (Department of Chemistry, Gwangju Institute ofScience and Technology (GIST), Gwangju,Republic of Korea) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
Bulletin of the Korean Chemical Society(Bulletin of the Korean Chemical Society)
권호사항
발행연도
2022
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
1184-1190(7쪽)
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제공처
소장기관
Bandgap engineering is an important prerequisite for various applications oftwo-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMD). A reduction inthe dimension from 2D has been one of the methods to control the elec-tronic structure, by which a quantum confinement effect in the additionalaxis(es) can result in the widening of band structures. A vapor-phase processfor synthesizing monolayer MoS2nanomesh film or MoS2quantum dot isdeveloped based on the inorganic molecular chemical vapor deposition. Thevapor-phase process can control MoS2coverage by adjusting growth times.Therefore, the formation of nanostructures can be confirmed based on thegrowth time. The quantum confinement effect in monolayer MoS2nanomeshfilms and MoS2quantum dots is also confirmed via spectroscopic investiga-tions, which induce a blue shift, indicating bandgap widening. Consequently,this approach can be used to synthesize lower-dimensional TMD materialsfor bandgap engineering, which is an essential process in optical or optoe-lectrical applications.
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