SCI
SCIE
SCOPUS
Synthesis and Characterization of Monodispersed β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Nanospheres via Morphology Controlled Ga<sub>4</sub>(OH)<sub>10</sub>SO<sub>4</sub> Precursors
저자
Kang, Bong Kyun ; Lim, Hyeong Dae ; Mang, Sung Ryul ; Song, Keun Man ; Jung, Mong Kwon ; Kim, Sang-Woo ; Yoon, Dae Ho
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2015
작성언어
-등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
833-838(6쪽)
제공처
<P>To our best knowledge, monodispersed beta-Ga2O3 nanospheres were successfully synthesized for first time via morphology-controlled gallium precursors using the forced hydrolysis method, followed by thermal calcination processes. The morphology and particle sizes of the gallium precursors were strongly dependent on the varying (R = SO42-/NO3-) concentration ratios. As R decreased, the size of the prepared gallium precursors decreased and morphology was altered from sphere to rod. The synthesized S2 (R = 0.33) consists of uniform and monodispersed amorphous nanospheres with diameters of about 200 nm. The monodispersed beta-(GaO3)-O-2 nanospheres were synthesized using thermal calcination processes at various temperatures ranging from 500 to 1000 degrees C. Monodispersed beta-(GaO3)-O-2 nanospheres (200 nm) consist of small particles of approximately 10-20 nm with rough surface at 1000 degrees C for 1 h. The UV (375 nm) and broad blue (400-450 nm) emission indicate recombination via a self-trapped exciton and the defect band emission. Our approach described here is to show the exploration of beta-Ga2O3 nanospheres as an automatic dispersion, three-dimensional support for fabrication of hierarchical materials, which is potentially important for a broad range of optoelectronic applications.</P>
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