SCI
SCIE
SCOPUS
Tuning non-volatile memory characteristics via molecular doping of polymer semiconductors based on ambipolar organic field-effect transistors
저자
Kang, Minji ; Khim, Dongyoon ; Kim, Jihong ; Lee, Hyeon Jun ; Jo, Ji Young ; Baeg, Kang-Jun ; Kim, Dong-Yu
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
-주제어
등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
12-17(6쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>Expandability of organic electronics has stimulated ongoing research for the development of a variety of flexible and/or large-area optoelectronic applications. Among these electronic devices, organic non-volatile memories are emerging as suitable components for solid-state data storage because of their low-cost fabrication, large storage capacity, light weight, and conformable mechanical properties. To fully integrate organic memories with wearable and flexible/stretchable electronic systems, it is important to develop a device in which the properties such as threshold voltage and operating regime are controllable. This leads to improvement in the adaptability of the device to peripheral circuitry and encourages the development of multi-functional organic electronic components. Here, we investigate the tunable electrical properties of charge-trap (electret) memory devices based on organic field-effect transistors, obtained by the doping of an ambipolar polymer semiconductor. The electret memory devices using the doped semiconductor showed a remarkable enhancement in the charge-storage capacity, an excellent charge retention time of more than 10<SUP>7</SUP> s, and four-fold increase in charge carrier mobility. The improved memory characteristics associated with the controllable molecular doping could pave the way for the development of next-generation memory devices that are compatible with flexible and printed electronic technology.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> Electret memory devices using the p-doped PDVT-10 polymer semiconductor were fabricated. </LI> <LI> We demonstrated that the doping of organic semiconductor in the memories can modulate the efficiency of charge trapping. </LI> <LI> The devices showed a retention time of more than 10<SUP>7</SUP> s and four-fold increase in charge carrier mobility. </LI> </UL> </P> <P><B>Graphical abstract</B></P> <P>[DISPLAY OMISSION]</P>
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