KCI등재
깊은 준위 결함에 의한 SiC SBD 전기적 특성에 대한 영향 분석 = The effect of deep level defects in SiC on the electrical characteristics of Schottky barrier diode structures
SiC is a power semiconductor with a wide bandgap, high insulation failure strength, and thermal conductivity,but many deep-level defects. Defects that appear in SiC can be divided into two categories, defects that appear inphysical properties and interface traps that appear at interfaces. In this paper, Z1/2 trap concentration 0 ∼ 9×1014cm-3 reported at room temperature (300 K) is applied to SiC substrates and epi layer to investigate turn-oncharacteristics. As the trap concentration increased, the current density, Shockley-read-Hall (SRH), and Augerrecombination decreased, and Ron increased by about 550% from 0.004 to 0.022 mohm.
더보기SiC는 차세대 전력반도체의 핵심 재료로 넓은 밴드갭과 높은 절연파괴강도, 열전도율을 가지고 있지만 deep level defect와 같은 다양한 문제를 야기하는 결함이 존재한다. SiC에서 나타나는 defect는 물성에서 나타나는 defect와 계면에서 나타나는interface trap 2가지로 나뉜다. 본 논문은 상온 (300 K)에서 보고되는 Z1/2 trap concentration 0 ∼ 9×1014 cm-3을 SiC substrate와 epi layer에 적용하여 turn-on 특성을 알아보고자 한다. 전류밀도와 SRH(Shockley-Read-Hall), Auger recombination을 통해 구조 내 재 결합률을 확인하였다. trap concentration이 증가할수록 turn-on시 전류밀도와 재 결합률은 감소하며 Ron은0.004에서 0.022 mΩ으로 약 550% 증가하였다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2020-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (재인증) | KCI후보 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
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2011-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2005-10-17 | 학술지명변경 | 외국어명 : 미등록 -> Journal of IKEEE | KCI후보 |
2005-05-30 | 학술지등록 | 한글명 : 전기전자학회논문지외국어명 : 미등록 | KCI후보 |
2005-03-25 | 학회명변경 | 한글명 : (사) 한국전기전자학회 -> 한국전기전자학회영문명 : 미등록 -> Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers | KCI후보 |
2005-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) | KCI후보 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.3 | 0.3 | 0.29 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.24 | 0.22 | 0.262 | 0.17 |
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