KCI우수등재
SCOPUS
Photoreflectance 측정에 의한 In0.1Ga0.9As / GaAs 계면의 특성 조사
저자
이철욱(Chul-Wook Lee) ; 김인수(In-Soo Kim) ; 손정식(Jeong-Sik Son) ; 김동렬(Dong-Lyeul Kim) ; 임재영(Jae-Young Leem) ; 배인호(In-Ho Bae)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
263-266(4쪽)
제공처
소장기관
In_(0.1)Ga_(0.9)As/GaAs의 계면 특성을 상온에서 photoreflectance(PR) 측정을 통하여 연구하였다. 에피층의 두께가 증가함에 따라 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation(FKO)의 주기가 감소하였고, 계면 전기장은 감소되었다. 이것은 InGaAs와 GaAs의 이종정합계면 부근에서 격자부정합에 의한 결함이 증가되었기 때문으로 생각된다. 에피층의 두께가 300 Å보다 적은 경우 두께가 얇아짐에 따라 InGaAs 층이 임계 두께에 가까워져 strain의 영향으로 밴드갭 에너지가 크게 이동하였다.
더보기We studied an interfacial characteristics of In_(0.1)Ga_(0.9)As/GaAs by photoreflectance (PR) measurement at room temperature. With increasing thickness of epitaxial layer, Franz-Keldysh oscillation (FKO) periods of PR signals were decreased, and interfacial electric field was decreased. This can be explained by the increase of defects due to lattice mismatch near the heterointerface between InGaAs and GaAs. For the thickness of epitaxial layer thinner than the 300 Å, InGaAs epitaxial layer closed to critical thickness and increased strain, and then the bandgap energy shifted high energy greatly.
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