WO_3첨가한 TiO_2 후막산소센서의 제조에 관한 연구 = Studies on the manufacturing of the thick film TiO_2 oxygen sensor doped with WO_3
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학술지명
권호사항
발행연도
1994
작성언어
Korean
KDC
500.000
자료형태
학술저널
수록면
380-394(15쪽)
제공처
소장기관
WO_3를 첨가한 TiO_2를 소성 산소분압을 달리하여 1400 ℃에서 2시간 동안 소성하였다. 소성한 시료에 촉매로 PdCl_2를 첨가하여 후막을 형성하여 500 - 1400 ℃온도 범위에서 전기저항을 측정하였다. 후막 산소센서의 응답특성을 산소분압이 내려갈 수록 안정화되는데 시간이 걸렸다. 반면 측정온도가 올라갈수록 응답특성의 안정화는 빨리 이루어졌다. 소성 산소분압에 따른 저항의 변화를 관찰한 결과측정온도가 낮은 온도에서 높은 온도로 올라갈 수록 기울기가 감소하는 것을 볼 수 있었다. 또한 소성 산소분압에 따른 미세구조 변화는 첨가되는 WO_3양에 따라 서로 크게 변하지 않았으나 소성 산소분압은 10-13atm에서는 그 이상의 산소분압에서 소성한 시편의 결정립의 크기의 약 3배 이상으로 성장하였다.
WO_3-doped TiO_2 was sintered at 1400 ℃ for 2hr. with different atmospheres. The electrical resistance of sintered specimen added with PdCl_2 as a catalysis was measured from 500 ℃ to 1400 ℃. Response characteristics of thick film sensor took longer times as the oxygen partial pressure decreased. By the variation of resistance of specimen with the sintering oxygen partial pressure, the slope of resistance with P_(O_2) decreased as the measuring temperature increased, and the grain size of specimen sintered in P_(O_2)=10^-13 atm was 3 times more than that of specimen sintered in more than P_(O_2)=10^-13 atm. This results suggests the relationship of microstructure and electric properties in sensor characteristics.
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