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PLD법으로 제작한 비정질 IGZO 박막 트랜지스터의 UV광 조사 연구 = Studies of a-IGZO Thin Film Transistors Produced by Using Pulsed Laser Deposition and their Photo-induced Effects
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2014
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Korean
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KCI등재,SCOPUS
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학술저널
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753-759(7쪽)
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We have investigated the transport properties of amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) fabricated by using the pulsed laser deposition (PLD) method. The threshold voltage (V_t) was shifted to a positive bias by both an increase in the oxygen partial pressure during the deposition and an increase in the during post heat treatment. This shift was due to decreases of the numbers of interface defects and free electron carriers caused by the reduction in the number of oxygen vacancies. In the KPFM (Kelvin probe force microscopy) measurements, the histogram data showed that the surface potential decreased with time due to a reduction in the number of oxygen vacancies because the measurements were performed in air. UV illumination resulted in a negative shift of the V_t in the absence of any bias stress. A persistent negative shift of the V_t was observed after removal of the UV illumination due to the photo-induced hole trap state in the interface, and sufficient time was needed to recover to the initial V_t.
더보기펄스 레이저 증착 (pulsed laser deposition, PLD)법을 이용하여 비정질 InGaZnO (amorphous InGaZnO, a-IGZO) 박막트랜지스터 (thin film transistor, TFT)를 제작하고 그 전달 특성 (transfer characteristics)을 조사하였다. 증착 시 산소 분압 (50, 80 and 100 mTorr)의 증가 및 후 열처리 (300℃ , 1 hour)에 의해 문턱 전압 (threshold voltage, V_t)은 양의 방향으로 이동하였다. 이와 같은 문턱전압 이동은 산소 공공 (oxygen vacancy)의 감소에 의한 캐리어의 감소뿐 아니라 채널층과 게이트절연층 사이에 존재하는 계면결함의 감소 때문으로 보인다. KPFM (Kelvin probe force microscopy)을 이용한 a-IGZO 박막의 표면전위 측정 실험에서는 대기 노출에 의해서 표면전위분포가 시간이 지남에 따라 감소하는 것으로 나타났다. 또한 UV 광 조사에 의해 V_t는 음의 방향으로 이동하였다. UV 광 제거 후에도 a-IGZO와 SiO$_2$ 계면의 강한 홀 트랩 때문에 초기 값으로 회복 (recovery)하기 위해서는 충분한 시간이 필요한 것으로 나타났다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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