SCOPUS
KCI등재
열처리에 따른 Peroxo Titanium Complex 졸 용액 기반 TiN/TiO<sub>2</sub>/FTO Resistive Random-Access Memory의 전기적 특성 = Electrical Properties of TiN/TiO<sub>2</sub>/FTO Resistive Random-Access Memory Based on Peroxo Titanium Complex Sol Solution by Heat Treatment
저자
임현민 ; 이진호 ; 김원진 ; 오승환 ; 서동혁 ; 이동희 ; 김륜나 ; 김우병 ; Yim, Hyeonmin ; Lee, Jinho ; Kim, Won Jin ; Oh, Seung-Hwan ; Seo, Dong Hyeok ; Lee, Donghee ; Kim, Ryun Na ; Kim, Woo-Byoung
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2022
작성언어
Korean
주제어
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
384-390(7쪽)
제공처
소장기관
A spin coating process for RRAM, which is a TiN/TiO<sub>2</sub>/FTO structure based on a PTC sol solution, was developed in this laboratory, a method which enables low-temperature and eco-friendly manufacturing. The RRAM corresponds to an OxRAM that operates through the formation and extinction of conductive filaments. Heat treatment was selected as a method of controlling oxygen vacancy (V<sub>O</sub>), a major factor of the conductive filament. It was carried out at 100 ℃ under moisture removal conditions and at 300 ℃ and 500 ℃ for excellent phase stability. XRD analysis confirmed the anatase phase in the thin film increased as the heat treatment increased, and the Ti<sup>3+</sup> and OH- groups were observed to decrease in the XPS analysis. In the I-V analysis, the device at 100 ℃ showed a low primary SET voltage of 5.1 V and a high ON/OFF ratio of 10<sup>4</sup>. The double-logarithmic plot of the I-V curve confirmed the device at 100 ℃ required a low operating voltage. As a result, the 100 ℃ heat treatment conditions were suitable for the low voltage driving and high ON/OFF ratio of TiN/TiO<sub>2</sub>/FTO RRAM devices and these results suggest that the operating voltage and ON/OFF ratio required for OxRAM devices used in various fields under specific heat treatment conditions can be compromised.
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