KCI등재
다양한 회로 공유기법을 사용하는 10비트 100MS/s 27.2mW 0.8㎟ 0.18um CMOS Pipeline ADC = A 10b 100MS/s 27.2mW 0.8m㎟ 0.18um CMOS Pipeline ADC with Various Circuit Sharing Schemes
저자
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2009
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
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53-63(11쪽)
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0
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This work proposes a 10b 100MS/s 27.2mW 0.8㎟ 0.18um CMOS ADC for WLAN such as an IEEE 802.11n standard. The proposed ADC employs a three-stage pipeline architecture and minimizes power consumption and chip area by sharing as many circuits as possible. Two multiplying DACs share a single amplifier without MOS switches connected in series while the shared amplifier does not show a conventional memory effect. All three flash ADCs use only one resistor ladder while the second and third flash ADCs share all pre-amps to further reduce power consumption and chip area. The interpolation circuit employed in the flash ADCs halves the required number of pre-amps and an input-output isolated dynamic latch reduces the increased kickback noise caused by the pre-amp sharing. The prototype ADC implemented in a 0.18um n-well 1P6M CMOS process shows the DNL and INL within 0.83LSB and 1.52LSB at 10b, respectively. The ADC measures an SNDR of 52.1dB and an SFDR of 67.6dB at a sampling rate of 100MS/s. The ADC with an active die area of 0.8㎟ consumes 27.2mW at 1.8V and 100MS/s.
더보기본 논문에서는 IEEE 802.11n 표준과 같은 근거리 무선통신망 응용을 위한 10비트 100MS/s 27.2mW 0.8㎟ 0.18um CMOS ADC를 제안한다. 제안하는 ADC는 고속 동작에 적합한 3단 파이프라인 구조를 기반으로 제작되었으며 각단에 공통적으로 사용되는 증폭기, 프리앰프 및 저항열을 최대한 효율적으로 공유함으로써 전력 소모 및 면적을 최소화하였다. 첫 번째 MDAC과 두 번째 MDAC에는 스위치 저항과 메모리 효과가 없는 증폭기 공유기법을 사용하였고, 세 개의 4비트 flash ADC에는 단 하나의 저항열만을 사용하는 동시에 두 번째 flash ADC와 세 번째 flash ADC에는 프리앰프를 공유하여 전력 소모와 면적을 최소화하였다. 보간 기법을 사용하여 요구되는 프리앰프의 수를 반으로 줄였으며, 프리앰프의 공유 및 보간 기법으로 인한 영향을 최소화하기 위해 낮은 킥-백 잡음을 갖는 비교기를 추가로 제안하였다. 제안하는 시제품 ADC는 0.18um 1P6M CMOS 공정으로 제작되었으며, 측정된 DNL 및 INL은 10비트 해상도에서 각각 최대 0.83LSB와 1.52LSB의 수준을 보이며, 동적 성능으로는 100MS/s의 동작 속도에서 각각 52.1dB의 SNDR과 67.6dB의 SFDR을 갖는다. 시제품 ADC의 칩 면적은 0.8㎟이며 전력 소모는 1.8V 전원 전압을 인가하였을 때 100MS/s에서 27.2mW이다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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