KCI등재
내부 고조파 조정 회로로 구성되는 고효율 370 W GaN HEMT 소형 전력 증폭기
저자
최명석(Myung-seok Choi) ; 윤태산(Tae-san Yoon) ; 강부기(Bu-gi Kang) ; 조삼열(Samuel Cho)
발행기관
학술지명
한국전자파학회논문지(The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
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발행연도
2013
작성언어
Korean
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등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
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1064-1073(10쪽)
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본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 ㎜ GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 10.16×10.16×1.5T ㎣ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다. 드레인 바이어스 48 V 인가 시, 개발된 GaN HEMT 전력 증폭기는 370 W 포화 출력 전력(Psat.)과 770~870 ㎒에서 80 % 이상, 1,805~1,880 ㎒에서 75 % 이상의 드레인 효율(DE)을 나타내었다. 이는 지금까지 보고된 셀룰러와 L대역에서 GaN HEMT 전력 증폭기 중 최고의 효율과 출력 전력 특성이다.
더보기In this paper, a compact 370 W high efficiency GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) power amplifier(PA) using internal harmonic manipulation circuits is presented for cellular and L-band. We employed a new circuit topology for simultaneous high efficiency matching at both fundamental and 2nd harmonic frequency. In order to minimize package size, new 41.8 ㎜ GaN HEMT and two MOS(Metal Oxide Semiconductor) capacitors are internally matched and combined package size 10.16×10.16×1.5T ㎣ through package material changes and wire bonded in a new package to improve thermal resistance. When drain biased at 48 V, the developed GaN HEMT power amplifier has achieved over 80 % Drain Efficiency(DE) from 770~870 ㎒ and 75 % DE at 1,805~1,880 ㎒ with 370 W peak output power(Psat.). This is the state-of-the-art efficiency and output power of GaN HEMT power amplifier at cellular and L-band to the best of our knowledge.
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2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
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2008-04-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science | KCI등재 |
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2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
2000-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.2 | 0.2 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.13 | 0.363 | 0.1 |
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