KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Behavior of Boron Implanted into n-Si (100) by Low-Energy (2 keV) Ion Implantation for a Shallow Junction
저자
Sa-Kyun Rha (Hanbat Univ.) ; Youn-Seoung Lee (Hanbat Univ.) ; 이명희 (Sejong University) ; Myeung Hee Lee (Yonsei University) ; Min-Seok Jeon (Reliability Technical Center) ; Jun-Kwang Song (Reliability Technical Center)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2008
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
1237-1240(4쪽)
KCI 피인용횟수
1
제공처
We investigated the behavior of boron by varying the B+ ion
implantation energy and the rapid thermal annealing (RTA) temperature. The B+ ions were implanted into n-type Si (100), for which the native
oxide layer had been removed. The used B+ ion implantation
energies were 0.5 keV, 1 keV and 2 keV. The dose was fixed at 1
× 10 15 atoms/㎠.
RTA was performed under a N₂ ambient (760 Torr) at 950℃, 1000℃ and 1050℃ for 10 s. In order to investigate the
boron
behavior caused by B+ ion implantation, we measured the junction depth Xj, the dose, the sheet resistance Rs and the thickness of
silicon oxide layer by using a secondary ion mass spectrometer
(SIMS), an ellipsometer, a 4-point probe. By these results, Rs
in as-implanted
samples increased greatly (from 341 Ω/㎠ to 985 Ω/㎠ for B+ implantation energies of 0.5 keV and 2 keV, respectively)
when Xj increased (from 31 nm for 0.5 keV to 57 nm for 2 keV) because
of inactivated dopants. After RTA, the diffusion length △Xj was
very similar for all ion implantation energies and only changed with
variation of the RTA temperature (~35 nm at 950℃,
~65 nm at 1000℃ and ~115 nm at 1050℃)However, Rs changed with variations of the ion
implantation energy and the RTA temperature and Rs decreased
after annealing (from 182 Ω/㎠ for 0.5 keV to 158
Ω/㎠ for 2 keV at 1050℃). The junction depth
Xj depended on the B+ ion implantation energy, but the
diffusion length was independent of the B+ ion implantation
energy and only depended on the RTA temperature.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | SCI 등재 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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