SCOPUS
SCIE
Organic Electronics: High <i>T</i><sub>g</sub> Cyclic Olefin Copolymer Gate Dielectrics for <i>N</i>,<i>N</i>′‐Ditridecyl Perylene Diimide Based Field‐Effect Transistors: Improving Performance and Stability with Thermal Treatment (Adv. Fun
저자
Jang, Jaeyoung ; Nam, Sooji ; Chung, Dae Sung ; Kim, Se Hyun ; Yun, Won Min ; Park, Chan Eon
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2010
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
-
제공처
소장기관
<P><B>Abstract</B></P><P>A novel application of ethylene‐norbornene cyclic olefin copolymers (COC) as gate dielectric layers in organic field‐effect transistors (OFETs) that require thermal annealing as a strategy for improving the OFET performance and stability is reported. The thermally‐treated <I>N</I>,<I>N′</I>‐ditridecyl perylene diimide (PTCDI‐C13)‐based n‐type FETs using a COC/SiO<SUB>2</SUB> gate dielectric show remarkably enhanced atmospheric performance and stability. The COC gate dielectric layer displays a hydrophobic surface (water contact angle = 95° ± 1°) and high thermal stability (glass transition temperature = 181 °C) without producing crosslinking. After thermal annealing, the crystallinity improves and the grain size of PTCDI‐C13 domains grown on the COC/SiO<SUB>2</SUB> gate dielectric increases significantly. The resulting n‐type FETs exhibit high atmospheric field‐effect mobilities, up to 0.90 cm<SUP>2</SUP> V<SUP>−1</SUP> s<SUP>−1</SUP> in the 20 V saturation regime and long‐term stability with respect to H<SUB>2</SUB>O/O<SUB>2</SUB> degradation, hysteresis, or sweep‐stress over 110 days. By integrating the n‐type FETs with p‐type pentacene‐based FETs in a single device, high performance organic complementary inverters that exhibit high gain (exceeding 45 in ambient air) are realized.</P>
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