Electron Cyclotron Resonance O_2 Plasma에서 증착한 규소 산화 박막의 특성 = The Characteristics of a Silicon Dioxide Film Deposited by Electron Cyclotron Resonance O_2 Plasma
저자
안명환 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 서문석 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 장재선 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 서성모 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 이기방 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 윤창주 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 이형재 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 남기석 (전북대학교 반도체물성연구센터) ; 최규현 (삼성전자 연구소) ; 손춘배 (삼성전자 연구소) ; 김용섭 (삼성전자 연구소) ; 강석희 (삼성전자 연구소)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1994
작성언어
Korean
KDC
409.000
자료형태
학술저널
수록면
111-117(7쪽)
제공처
소장기관
규소 산화막을 ECR-CVD(electron cyclotron resonance-chemical vapor deposition) 증착방법으로 5인치 기판위에 상온에서 증착하고, 증착공정조건인 증착율, 기판온도, 마이크로파의 세기변화 및 플라즈마 혼합기체의 비에 따른 규소 산화막의 특성을 조사하였다. 또한 산화막의 구조적인 특성을 비교하기 위해 FTIR을 이용하여 ECR-CVD 증착한 산화막, RPE-CVD(remote plasma enhanced-CVD) 증착한 산화막 및 열 산화막의 stretching frequency를 측정하였다. 측정된 결과 ECR-CVD로 증착된 산화막이 구조적인 면에서 열 산화막과 거의 같음을 보였다. ECR-CVD로 증착된 산화막의 전기적인 특성을 전류-전압 및 축전-전압 측정에의하여 분석하였다. 축전된 산화막의 전기적인 특성은 산화막의 전하 밀도는 1×10 exp (11)/㎠이였고, 평균 절연 파괴 전압은 약 6 MV/㎝이다.
We have grown thin films of SiO_2 at room temperature by using an ECR-CVD system and have investigated the changes in the properties of the deposited films with changes in the processing conditions such as the deposition rate, the substrate temperature, the microwave power and the plasma gas mixing ratio. We also measured the stretching frequency of three kinds of oxides, and ECR-CVD-grown oxide, a PECVD-grown oxide, and a thermally grown oxide, using FTIR analysis to compare their structural properties. The result shows that the structural properties of the ECR-grown oxide are similar to those of the thermally grown oxide. Additionally, the electrical properties of the ECR-grown oxide were investigated by using current-voltage and capacitance-voltage measurements. These electrical results indicate that the oxide charge density and the average breakdown voltage are 1×10 exp (11) ㎝^-2 and 6 MV/㎝, respectively.
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