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ZnSe/GaAs 이종접합 구조에서의 광전류에 관한 연구 = Photocurrent Spectroscopy of a ZnSe/GaAs Heterojunction Structure
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2007
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KCI등재,SCOPUS
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294-298(5쪽)
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The properties for the interface barrier of a ZnSe/GaAs
heterojunction structure grown by using molecular beam epitaxy were
investigated using photocurrent spectroscopy. The derivative
photocurrent (DPC) at 300 K indicated that the band-gap energies of
GaAs and ZnSe were 1.38 and 2.66 eV, respectively. The effect of the
interface barrier between ZnSe and GaAs was relaxed gradually with
increasing forward bias. The low-temperature result showed that the
defect states increased the conduction current or acted as a
trapping level decreasing the conduction current as the direction of
conduction The dependence of the light power on indicated that the
photocurrent under a low bias voltage flowed in a direction opposite
to that of the conduction current and that the conduction current
decreased.
반절연성 GaAs 위에 molecular beam epitaxy (MBE)법으로 성장시킨
ZnSe/GaAs 이종접합 구조에서 계면장벽에 의한 특성을 광전류 분광법
(photocurrent spectroscopy)으로 조사하였다. 1차 미분 광전류
(derivative photocurrent) 스펙트럼을 이용하여 구하여진 상온에서의
GaAs와 ZnSe의 띠 간격 에너지는 각각 1.38, 2.66 eV 이었다. 순방향으로
인가된 바이어스 전압이 증가할 수록 ZnSe층과 GaAs층 사이의 계면장벽이
점차 완화되었다. 저온 실험으로부터 계면에서의 불순물 준위가
전도전류의 방향에 따라 전도전류에 기여하거나 약화시키는 트랩준위로
작용하였다. 그리고 작은 인가 바이어스 전압에 대하여 입사광 세기
의존성을 측정한 결과 광전류가 전도전류와 반대방향으로 흐르게 되어
전도전류를 감소시켰다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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